Vn-z.vn Ngày 22 tháng 06 năm 2023, Khi kỹ thuật chế tạo bán dẫn ngày càng phức tạp, định luật của Moore được cho là chậm lại hoặc thậm chí không còn hiệu quả trong hơn 10 năm qua, đặc biệt đối với các công nghệ dưới 10nm ngày càng khó khăn hơn. Trong tương lai 10 năm, các nhà sản xuất bán dẫn cần phải tiếp tục tiến vào các nút dưới 1nm. Do đó, họ sẽ cần phải có các công nghệ tiên tiến hơn.
Trong lĩnh vực này, Intel đâng đi tiên phong vào thời kỳ Transistor FinFET tại nút 22nm, sử dụng các công nghệ mới như RibbonFET và PowerVia tại các nút 20A và 18A. Intel sẽ tiến hành thay đổi cấu trúc transistor, mục tiêu của Intel là sử dụng hoàn toàn vật liệu 2D TMD mới.

"2D" trong đó chỉ một thạch anh tinh thể được tổ chức bởi một lớp nguyên tử, và "TMD" là viết tắt của bộ phận chuyển tiếp kim loại sulfide, bao gồm các vật liệu như sulfide molypden (MoS2), sulfide wolfram (WS2) và selenide wolfram (WSe2) ... vv. Những vật liệu mới này có thể đạt được độ dày rãnh nhỏ hơn 1nm, đồng thời có hiệu suất và khả năng di chuyển tốt hơn, có lợi thế về hiệu suất cao và tiêu thụ năng lượng thấp.

Việc chế tạo vật liệu 2D TMD không phải là dễ dàng, vì vậy Intel thông báo rằng họ đã ký kết một thỏa thuận hợp tác với CEA-Leti ở châu Âu để phát triển công nghệ chuyển đổi lớp 2D TMD trên wafer 300mm. CEA-Leti là chuyên gia trong lĩnh vực này và có thể cung cấp hỗ trợ chuyên môn về kết nối và công nghệ chuyển lớp, giúp Intel chế tạo ra chip dựa trên silic.

Quá trình này có thể mất nhiều năm, mục tiêu của Intel là tiếp tục mở rộng định luật Moore sau năm 2030, nghĩa là tăng mật độ transistor, tăng hiệu suất, giảm chi phí và tiêu thụ năng lượng.