Huawei sản xuất SSD 122TB bằng công nghệ đóng gói mới: vượt rào cản hạn chế 3D NAND

VNZ-TECHS
Trước các lệnh hạn chế công nghệ, Huawei đang tìm cách tạo đột phá trong lĩnh vực lưu trữ thông qua đổi mới ở cấp độ đóng gói thay vì tiếp tục cuộc đua về số lớp NAND.
Theo trang tin chuyên ngành lưu trữ quốc tế Blocks & Files, tại sự kiện Huawei IDI Forum 2026 tổ chức ở Paris, Huawei đã trình diễn dòng SSD dung lượng lớn sử dụng công nghệ đóng gói Die-on-Board (DoB - đóng gói chip trực tiếp trên bảng mạch) do hãng tự phát triển. Hiện Huawei đã sản xuất hàng loạt hai phiên bản SSD 61,44TB và 122,88TB, đồng thời đang lên kế hoạch cho mẫu 245TB trong tương lai, hướng đến các trung tâm dữ liệu AI và nhu cầu lưu trữ quy mô lớn.

Huawei-SSD-DoB.webp

Do bị đưa vào danh sách hạn chế của Mỹ, Huawei không thể tiếp cận các chip NAND 3D mới nhất được sản xuất bằng công nghệ có nguồn gốc từ Mỹ. Sau khi nguồn dự trữ cũ dần cạn kiệt, hãng chủ yếu phải sử dụng bộ nhớ NAND từ các nhà sản xuất nội địa Trung Quốc như YMTC.
Nếu tiếp tục áp dụng phương pháp đóng gói truyền thống của ngành, dung lượng SSD của Huawei sẽ khó cạnh tranh với những nhà sản xuất lớn trên thị trường.
Chính vì vậy, Huawei lựa chọn một hướng đi khác: thay vì tham gia cuộc đua tăng số lớp của NAND 3D, hãng tập trung vào đổi mới ở cấp độ đóng gói trên bảng mạch. Bằng cách xếp chồng trực tiếp các die NAND chưa đóng gói lên PCB, Huawei đạt mật độ lưu trữ cao hơn đáng kể so với phương pháp truyền thống, đồng thời tăng mức độ tích hợp và giảm chi phí sản xuất.
Công nghệ DoB (Die-on-Board) là một dạng kỹ thuật lắp ráp ở cấp độ wafer do Huawei tự nghiên cứu và phát triển. Cách tiếp cận này khác biệt đáng kể so với phương pháp phổ biến hiện nay.
Các hãng như Samsung, Kioxia hay Micron thường sử dụng mô hình “đóng gói trước, hàn lên bo mạch sau”. Theo đó, các die NAND được đặt vào các gói tiêu chuẩn như:
  • TSOP (Thin Small Outline Package)
  • BGA (Ball Grid Array)
Sau khi hoàn tất đóng gói thành chip hoàn chỉnh, chúng mới được hàn lên bo mạch SSD.
TSOP từng là phương pháp phổ biến trước đây với chân kết nối nằm hai bên chip, trong khi BGA hiện là tiêu chuẩn phổ biến hơn nhờ sử dụng các điểm tiếp xúc dạng bi hàn ở mặt dưới, cho phép tăng mật độ linh kiện.
Tuy nhiên, cả hai phương pháp đều gặp giới hạn về kích thước vật lý của gói đóng gói, khiến công nghệ hiện tại thông thường chỉ hỗ trợ tối đa khoảng 16 lớp die NAND xếp chồng.
Trong khi đó, công nghệ DoB của Huawei loại bỏ hoàn toàn bước tạo chip NAND độc lập. Các die NAND thô được hàn trực tiếp lên PCB của SSD.
Theo Blocks & Files, cách làm này giúp Huawei:
  • Tăng mật độ lưu trữ trên cùng diện tích thêm khoảng 33%
  • Vượt qua giới hạn 16 lớp của TSOP/BGA
  • Có thể đạt tối đa 36 lớp die xếp chồng
Tuy nhiên, thiết kế này cũng kéo theo hai thách thức kỹ thuật lớn:
  • Quản lý nhiệt
  • Đảm bảo tính toàn vẹn tín hiệu
Huawei cho biết đội ngũ nghiên cứu đã giải quyết các vấn đề trên để đưa công nghệ này vào sản xuất quy mô lớn.

Hiện công nghệ DoB đã được ứng dụng trong nhiều giải pháp lưu trữ doanh nghiệp của Huawei.

Một số hệ thống được trình diễn gồm:

OceanDisk 1800 Smart Disk Enclosure
  • Kích thước 2U
  • Dung lượng tối đa 1,47PB
OceanDisk 1610
  • Hỗ trợ 36 SSD dung lượng 61,44TB
  • Tổng dung lượng đạt 2,2PB
Trên thực tế, Huawei đã giới thiệu công nghệ này từ tháng 8 năm ngoái trên hệ thống lưu trữ flash phân tán OceanStor Pacific 9926. Hệ thống 2U này có thể chứa:
  • 36 SSD NVMe dung lượng 122,88TB
  • Dung lượng thô đạt 4,42PB
  • Sau nén dữ liệu theo tỷ lệ 2,5:1, dung lượng hiệu dụng lên tới 11PB
Để so sánh, một hệ thống 2U tương tự của Dell sử dụng 40 SSD Kioxia LC9 QLC NVMe dung lượng 245,88TB có thể đạt khoảng 10PB dung lượng thô.
Dù Huawei vẫn còn khoảng cách về dung lượng từng ổ SSD riêng lẻ, hãng đã thu hẹp đáng kể khoảng cách với các nhà sản xuất quốc tế.

Theo giới phân tích, công nghệ đóng gói DoB có thể mở ra hướng phát triển mới cho ngành lưu trữ, không chỉ giúp giảm phụ thuộc vào cuộc đua số lớp NAND mà còn tạo thêm lựa chọn về mặt kỹ thuật cho thị trường lưu trữ toàn cầu.