Vn-Z.vn Ngày 27 tháng 02 năm 2024, Hôm nay, Samsung Electronics đã chính thức công bố ra mắt DRAM HBM3E xếp chồng 12 lớp đầu tiên - HBM3E 12H, đây là sản phẩm HBM có dung lượng lớn nhất của Samsung cho đến nay.
Samsung HBM3E 12H hỗ trợ băng thông tối đa trong mọi thời tiết là 1280GB/s và dung lượng sản phẩm đã đạt tới 36GB. So với HBM3 8H xếp chồng 8 lớp của Samsung, HBM3E 12H được cải thiện hơn 50% về băng thông và công suất.
"Hiện nay, các nhà cung cấp dịch vụ trí tuệ nhân tạo trong ngành đang ngày càng cần có dung lượng HBM cao hơn, và sản phẩm mới của chúng tôi, HBM3E 12H, được thiết kế nhằm đáp ứng nhu cầu này," Phó Tổng Giám đốc Điều hành của Nhóm Kế hoạch Sản phẩm Lưu trữ của Samsung Electronics, Yongcheol Bae, cho biết, "Giải pháp lưu trữ mới này là một phần của nỗ lực của chúng tôi trong việc phát triển công nghệ nhân trắc HBM xếp chồng nhiều lớp và cung cấp sự lãnh đạo công nghệ cho thị trường HBM cao dung lượng trong thời đại trí tuệ nhân tạo."
HBM3E 12H sử dụng công nghệ Màng Nhiệt Lực Bản không dẫn điện (TC NCF), giữ cho chiều cao của các sản phẩm xếp chồng 12 lớp và 8 lớp đồng nhất, để đáp ứng yêu cầu đóng gói HBM hiện nay. Vì ngành đang tìm kiếm giải pháp giảm nhẹ vấn đề uốn cong của vi mạch do lớp mỏng, công nghệ này sẽ mang lại nhiều lợi ích hơn trong việc xếp chồng cao hơn. Samsung đã không ngừng nỗ lực giảm độ dày của vật liệu Màng Nhiệt Lực Bản không dẫn (NCF) và giảm thiểu khoảng cách giữa các vi mạch xuống còn 7 micromet (µm), đồng thời loại bỏ khoảng trống giữa các lớp. Những nỗ lực này đã tăng mật độ dọc của sản phẩm HBM3E 12H của họ lên hơn 20% so với sản phẩm HBM3 8H.
Công nghệ Màng Nhiệt Lực Bản không dẫn (TC NCF) của Samsung cũng cải thiện hiệu suất nhiệt của HBM bằng cách cho phép sử dụng các tấm lõi với kích thước khác nhau giữa các vi mạch. Trong quá trình gắn vi mạch, các tấm lõi nhỏ được sử dụng cho khu vực truyền tín hiệu, trong khi các tấm lõi lớn được đặt ở các khu vực cần tản nhiệt. Phương pháp này giúp tăng cường tỷ lệ sản phẩm chất lượng.
Samsung Electronics cho biết, so với HBM3 8H, sau khi được tích hợp vào các ứng dụng trí tuệ nhân tạo, dự kiến tốc độ trung bình của quá trình đào tạo trí tuệ nhân tạo có thể tăng lên 34%, đồng thời số lượng người dùng dịch vụ suy luận cũng có thể tăng hơn 11,5 lần.
Samsung đã bắt đầu cung cấp mẫu HBM3E 12H cho khách hàng và dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm nay.
Samsung HBM3E 12H hỗ trợ băng thông tối đa trong mọi thời tiết là 1280GB/s và dung lượng sản phẩm đã đạt tới 36GB. So với HBM3 8H xếp chồng 8 lớp của Samsung, HBM3E 12H được cải thiện hơn 50% về băng thông và công suất.
"Hiện nay, các nhà cung cấp dịch vụ trí tuệ nhân tạo trong ngành đang ngày càng cần có dung lượng HBM cao hơn, và sản phẩm mới của chúng tôi, HBM3E 12H, được thiết kế nhằm đáp ứng nhu cầu này," Phó Tổng Giám đốc Điều hành của Nhóm Kế hoạch Sản phẩm Lưu trữ của Samsung Electronics, Yongcheol Bae, cho biết, "Giải pháp lưu trữ mới này là một phần của nỗ lực của chúng tôi trong việc phát triển công nghệ nhân trắc HBM xếp chồng nhiều lớp và cung cấp sự lãnh đạo công nghệ cho thị trường HBM cao dung lượng trong thời đại trí tuệ nhân tạo."
HBM3E 12H sử dụng công nghệ Màng Nhiệt Lực Bản không dẫn điện (TC NCF), giữ cho chiều cao của các sản phẩm xếp chồng 12 lớp và 8 lớp đồng nhất, để đáp ứng yêu cầu đóng gói HBM hiện nay. Vì ngành đang tìm kiếm giải pháp giảm nhẹ vấn đề uốn cong của vi mạch do lớp mỏng, công nghệ này sẽ mang lại nhiều lợi ích hơn trong việc xếp chồng cao hơn. Samsung đã không ngừng nỗ lực giảm độ dày của vật liệu Màng Nhiệt Lực Bản không dẫn (NCF) và giảm thiểu khoảng cách giữa các vi mạch xuống còn 7 micromet (µm), đồng thời loại bỏ khoảng trống giữa các lớp. Những nỗ lực này đã tăng mật độ dọc của sản phẩm HBM3E 12H của họ lên hơn 20% so với sản phẩm HBM3 8H.
Công nghệ Màng Nhiệt Lực Bản không dẫn (TC NCF) của Samsung cũng cải thiện hiệu suất nhiệt của HBM bằng cách cho phép sử dụng các tấm lõi với kích thước khác nhau giữa các vi mạch. Trong quá trình gắn vi mạch, các tấm lõi nhỏ được sử dụng cho khu vực truyền tín hiệu, trong khi các tấm lõi lớn được đặt ở các khu vực cần tản nhiệt. Phương pháp này giúp tăng cường tỷ lệ sản phẩm chất lượng.
Samsung Electronics cho biết, so với HBM3 8H, sau khi được tích hợp vào các ứng dụng trí tuệ nhân tạo, dự kiến tốc độ trung bình của quá trình đào tạo trí tuệ nhân tạo có thể tăng lên 34%, đồng thời số lượng người dùng dịch vụ suy luận cũng có thể tăng hơn 11,5 lần.
Samsung đã bắt đầu cung cấp mẫu HBM3E 12H cho khách hàng và dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm nay.
