DRAM có giá chỉ bằng 1/3 thị trường! Công ty Trung Quốc đang dùng giá thấp để giành thị phần.
Trong bối cảnh giá bộ nhớ toàn cầu liên tục tăng vọt, một thông tin về chiến lược giá rẻ của “ông lớn” DRAM Trung Quốc ChangXin Memory (CXMT – Trường Tân Tồn Trữ) đã khiến thị trường lưu trữ vốn đang nóng lên nay càng rơi vào cuộc giằng co dữ dội giữa phe mua và phe bán.
ChangXin Memory đã đưa ra mức giá chỉ 138 USD cho mô-đun 32GB DDR4-3200 ECC, được xem là mức giá “phá đáy”. Con số này chỉ bằng khoảng 1/3 so với mức giá 300–400 USD đang phổ biến trên thị trường quốc tế, ngay lập tức gây chấn động thị trường toàn cầu.
Động thái hạ giá mạnh này đã kích hoạt tâm lý hoảng loạn của thị trường. Giới đầu tư lo ngại ngành công nghiệp bộ nhớ sẽ một lần nữa rơi vào cuộc chiến “biển đỏ”. Hệ quả là nhóm cổ phiếu bộ nhớ, vốn vừa có dấu hiệu hồi phục trong phiên sáng trước đó, nhanh chóng chịu áp lực bán mạnh và lao dốc.
Trong đó, hai ông lớn DRAM là Winbond và Nanya Technology chịu ảnh hưởng nặng nề nhất, lần lượt giảm sâu 9,05% và 5,61% trong ngày. Ngoài ra, các cổ phiếu liên quan như Phison, PNY Asia, Etron, Supreme Electronics, ADATA, Apacer, Powerchip, HuaDong… cũng đồng loạt giảm mạnh, nhiều mã giảm quá nửa biên độ, bao trùm toàn bộ ngành là bầu không khí hoảng loạn.
Đằng sau biến động này là sự thay đổi mang tính cấu trúc của thị trường lưu trữ toàn cầu. Khi nhu cầu tính toán AI bùng nổ theo cấp số nhân, thị trường bộ nhớ đã bước vào một chu kỳ siêu tăng trưởng mới. Tới cuối năm 2025, giá nhiều sản phẩm bộ nhớ đã tăng mạnh, thậm chí làm xáo trộn kế hoạch sản xuất năm 2026 của nhiều thiết bị điện tử.
Trong bối cảnh đó, các “đại gia” lưu trữ Trung Quốc như ChangXin Memory và Yangtze Memory Technologies (YMTC – Trường Giang Tồn Trữ) đang đẩy nhanh quá trình mở rộng, tranh thủ thời cơ chiếm lĩnh thị trường.
Đặc biệt, ChangXin Memory đang có bước đi mở rộng rất quyết liệt khi quyết định tăng tốc xây dựng nhà máy tại Thượng Hải. Theo quy hoạch, quy mô nhà máy này sẽ lớn gấp 2–3 lần trụ sở chính tại Hợp Phì, tập trung sản xuất DRAM phục vụ máy chủ, PC và điện tử ô tô.
Theo lộ trình, việc lắp đặt thiết bị tại nhà máy Thượng Hải dự kiến bắt đầu từ nửa cuối năm 2026, và chính thức đi vào sản xuất năm 2027. Khi đó, năng lực cung ứng DRAM của ChangXin Memory trên thị trường toàn cầu sẽ được nâng lên đáng kể.
Song song, ông lớn NAND Flash Trung Quốc – Yangtze Memory cũng đang tăng tốc. Dự án giai đoạn 3 tại Vũ Hán, vốn đặt mục tiêu sản xuất hàng loạt vào năm 2027, có khả năng được đẩy sớm lên nửa cuối năm 2026. Đáng chú ý hơn, Yangtze Memory dự kiến điều chỉnh chiến lược phát triển, chuyển khoảng 50% công suất của nhà máy mới sang sản xuất DRAM, chính thức mở ra mô hình phát triển song song NAND và DRAM, qua đó hoàn thiện hơn hệ sinh thái ngành lưu trữ của Trung Quốc.
Nhận định về sự trỗi dậy của các nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc và những thay đổi trong cục diện thị trường, Gary Huang – Giám đốc khu vực châu Á của Yole Group cho rằng, nguồn cung bộ nhớ toàn cầu hiện vẫn trong tình trạng căng thẳng, và chính môi trường này đã tạo điều kiện thuận lợi cho các doanh nghiệp mới nổi bứt phá.
Bên cạnh đó, chính sách hỗ trợ từ Trung Quốc đang thúc đẩy nhiều khách hàng chủ động tìm kiếm các nguồn cung thay thế, điều này không chỉ mang lại động lực tăng trưởng mới cho ChangXin Memory, Yangtze Memory và các doanh nghiệp nội địa khác, mà còn tác động sâu sắc đến cục diện cạnh tranh của thị trường bộ nhớ toàn cầu trong thời gian tới.
Động thái hạ giá mạnh này đã kích hoạt tâm lý hoảng loạn của thị trường. Giới đầu tư lo ngại ngành công nghiệp bộ nhớ sẽ một lần nữa rơi vào cuộc chiến “biển đỏ”. Hệ quả là nhóm cổ phiếu bộ nhớ, vốn vừa có dấu hiệu hồi phục trong phiên sáng trước đó, nhanh chóng chịu áp lực bán mạnh và lao dốc.
Trong đó, hai ông lớn DRAM là Winbond và Nanya Technology chịu ảnh hưởng nặng nề nhất, lần lượt giảm sâu 9,05% và 5,61% trong ngày. Ngoài ra, các cổ phiếu liên quan như Phison, PNY Asia, Etron, Supreme Electronics, ADATA, Apacer, Powerchip, HuaDong… cũng đồng loạt giảm mạnh, nhiều mã giảm quá nửa biên độ, bao trùm toàn bộ ngành là bầu không khí hoảng loạn.
Đằng sau biến động này là sự thay đổi mang tính cấu trúc của thị trường lưu trữ toàn cầu. Khi nhu cầu tính toán AI bùng nổ theo cấp số nhân, thị trường bộ nhớ đã bước vào một chu kỳ siêu tăng trưởng mới. Tới cuối năm 2025, giá nhiều sản phẩm bộ nhớ đã tăng mạnh, thậm chí làm xáo trộn kế hoạch sản xuất năm 2026 của nhiều thiết bị điện tử.
Trong bối cảnh đó, các “đại gia” lưu trữ Trung Quốc như ChangXin Memory và Yangtze Memory Technologies (YMTC – Trường Giang Tồn Trữ) đang đẩy nhanh quá trình mở rộng, tranh thủ thời cơ chiếm lĩnh thị trường.
Đặc biệt, ChangXin Memory đang có bước đi mở rộng rất quyết liệt khi quyết định tăng tốc xây dựng nhà máy tại Thượng Hải. Theo quy hoạch, quy mô nhà máy này sẽ lớn gấp 2–3 lần trụ sở chính tại Hợp Phì, tập trung sản xuất DRAM phục vụ máy chủ, PC và điện tử ô tô.
Theo lộ trình, việc lắp đặt thiết bị tại nhà máy Thượng Hải dự kiến bắt đầu từ nửa cuối năm 2026, và chính thức đi vào sản xuất năm 2027. Khi đó, năng lực cung ứng DRAM của ChangXin Memory trên thị trường toàn cầu sẽ được nâng lên đáng kể.
Song song, ông lớn NAND Flash Trung Quốc – Yangtze Memory cũng đang tăng tốc. Dự án giai đoạn 3 tại Vũ Hán, vốn đặt mục tiêu sản xuất hàng loạt vào năm 2027, có khả năng được đẩy sớm lên nửa cuối năm 2026. Đáng chú ý hơn, Yangtze Memory dự kiến điều chỉnh chiến lược phát triển, chuyển khoảng 50% công suất của nhà máy mới sang sản xuất DRAM, chính thức mở ra mô hình phát triển song song NAND và DRAM, qua đó hoàn thiện hơn hệ sinh thái ngành lưu trữ của Trung Quốc.
Nhận định về sự trỗi dậy của các nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc và những thay đổi trong cục diện thị trường, Gary Huang – Giám đốc khu vực châu Á của Yole Group cho rằng, nguồn cung bộ nhớ toàn cầu hiện vẫn trong tình trạng căng thẳng, và chính môi trường này đã tạo điều kiện thuận lợi cho các doanh nghiệp mới nổi bứt phá.
Bên cạnh đó, chính sách hỗ trợ từ Trung Quốc đang thúc đẩy nhiều khách hàng chủ động tìm kiếm các nguồn cung thay thế, điều này không chỉ mang lại động lực tăng trưởng mới cho ChangXin Memory, Yangtze Memory và các doanh nghiệp nội địa khác, mà còn tác động sâu sắc đến cục diện cạnh tranh của thị trường bộ nhớ toàn cầu trong thời gian tới.
