Cuộc đua HBM4E tiếp tục nóng, SK Hynix là sẽ áp dụng tiến trình 3nm của TSMC để vượt Samsung, giành ưu thế trong hiệu năng bộ nhớ AI.
Theo tờ Chosun Ilbo (Hàn Quốc), SK Hynix đang cân nhắc sử dụng tiến trình 3nm của TSMC cho phần “chip logic” thành phần đảm nhiệm xử lý chính trong HBM4E nhằm gia tăng lợi thế về hiệu năng.
Nguồn tin trong ngành tiết lộ ngày 20/3 cho biết, SK Hynix dự kiến sử dụng tiến trình DRAM thế hệ thứ 6 (1c) ở mức 10nm cho “chip lõi” (các lớp DRAM xếp chồng), trong khi chip logic sẽ chuyển sang tiến trình 3nm của TSMC.
Trong khi đó, HBM4 mà SK Hynix đang cung cấp cho NVIDIA năm nay sử dụng DRAM thế hệ 5 (1b) 10nm cùng chip logic 12nm của TSMC. Phía Samsung lại đi trước khi áp dụng DRAM 1c 10nm kết hợp với chip logic 4nm.
Dù hiện là nhà cung cấp HBM4 lớn nhất cho NVIDIA, SK Hynix được cho là vẫn bị đánh giá thấp hơn Samsung về hiệu năng, do đối thủ sử dụng tiến trình tiên tiến hơn. Việc chuyển sang 3nm ở HBM4E được xem là bước đi nhằm đảo ngược tình thế.
Nếu HBM4 tập trung vào độ ổn định với quy trình trưởng thành, thì HBM4E sẽ hướng đến mục tiêu dẫn đầu hiệu năng và khẳng định vị thế công nghệ.
Báo cáo cũng cho biết, thị trường “HBM tùy biến” – nơi chip logic được thiết kế theo yêu cầu khách hàng – sẽ mở rộng từ thế hệ HBM4E, cho phép linh hoạt sử dụng nhiều tiến trình khác nhau. HBM4E dự kiến sẽ xuất hiện trên phiên bản cao cấp nhất của GPU AI thế hệ mới mang tên Vera Rubin Ultra của NVIDIA.
Một nguồn tin trong ngành nhận định, với HBM4E tùy biến, chip logic có thể sử dụng cả tiến trình 3nm hoặc 12nm tùy nhu cầu, nhưng 3nm nhiều khả năng sẽ trở thành lựa chọn chủ đạo.
Không chỉ NVIDIA, cả AMD và Google cũng đã lên kế hoạch tích hợp HBM4E vào thế hệ chip AI tiếp theo, khiến cuộc cạnh tranh ngày càng khốc liệt. Samsung cũng đã tranh thủ giới thiệu HBM4E tại sự kiện GTC 2026, cho thấy tham vọng chiếm lĩnh thị trường thế hệ mới, trong khi SK Hynix rõ ràng đang đặt mục tiêu giành lại vị thế dẫn đầu về hiệu năng.
Nguồn tin trong ngành tiết lộ ngày 20/3 cho biết, SK Hynix dự kiến sử dụng tiến trình DRAM thế hệ thứ 6 (1c) ở mức 10nm cho “chip lõi” (các lớp DRAM xếp chồng), trong khi chip logic sẽ chuyển sang tiến trình 3nm của TSMC.
Dù hiện là nhà cung cấp HBM4 lớn nhất cho NVIDIA, SK Hynix được cho là vẫn bị đánh giá thấp hơn Samsung về hiệu năng, do đối thủ sử dụng tiến trình tiên tiến hơn. Việc chuyển sang 3nm ở HBM4E được xem là bước đi nhằm đảo ngược tình thế.
Nếu HBM4 tập trung vào độ ổn định với quy trình trưởng thành, thì HBM4E sẽ hướng đến mục tiêu dẫn đầu hiệu năng và khẳng định vị thế công nghệ.
Báo cáo cũng cho biết, thị trường “HBM tùy biến” – nơi chip logic được thiết kế theo yêu cầu khách hàng – sẽ mở rộng từ thế hệ HBM4E, cho phép linh hoạt sử dụng nhiều tiến trình khác nhau. HBM4E dự kiến sẽ xuất hiện trên phiên bản cao cấp nhất của GPU AI thế hệ mới mang tên Vera Rubin Ultra của NVIDIA.
Một nguồn tin trong ngành nhận định, với HBM4E tùy biến, chip logic có thể sử dụng cả tiến trình 3nm hoặc 12nm tùy nhu cầu, nhưng 3nm nhiều khả năng sẽ trở thành lựa chọn chủ đạo.
Không chỉ NVIDIA, cả AMD và Google cũng đã lên kế hoạch tích hợp HBM4E vào thế hệ chip AI tiếp theo, khiến cuộc cạnh tranh ngày càng khốc liệt. Samsung cũng đã tranh thủ giới thiệu HBM4E tại sự kiện GTC 2026, cho thấy tham vọng chiếm lĩnh thị trường thế hệ mới, trong khi SK Hynix rõ ràng đang đặt mục tiêu giành lại vị thế dẫn đầu về hiệu năng.