Theo tờ Chosun Ilbo (Hàn Quốc), SK Hynix đang cân nhắc sử dụng tiến trình 3nm của TSMC cho phần “chip logic” thành phần đảm nhiệm xử lý chính trong HBM4E nhằm gia tăng lợi thế về hiệu năng.
Nguồn tin trong ngành tiết lộ ngày 20/3 cho biết, SK Hynix dự kiến sử dụng tiến trình DRAM thế hệ thứ 6...
Tổ chức JEDEC đang gấp rút xây dựng tiêu chuẩn bộ nhớ mới mang tên SPHBM4 (Standard Package High Bandwidth Memory thế hệ thứ tư). Chỉ với độ rộng bus 512-bit, SPHBM4 đã có thể đạt được mức băng thông tương đương HBM4, đồng thời vẫn tương thích với đế hữu cơ truyền thống, qua đó mang lại dung...
Vn-Z.vn Ngày 22 tháng 10 năm 2024, Theo báo cáo của ZDNET Hàn Quốc vào ngày hôm qua 21 tháng 10, Samsung Electronics đã lần đầu tiên phát triển thành công DRAM 1c nm (thế hệ thứ 6 của tiến trình 10nm) trong tháng này, với lô sản phẩm đầu tiên đạt tiêu chuẩn “Good Die” (chất lượng đạt chuẩn)...