Vn-Z.vn Ngày 25 tháng 01 năm 2023 , SK hynix thông báo rằng họ đã phát triển thành công bộ nhớ DRAM di động nhanh nhất thế giới "LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo)" hiện SK đã cung cấp mẫu cho khách hàng.
SK Hynix từng ra mắt DRAM di động LPDDR5X vào tháng 11 năm 2022 và SK tiếp tục phát triển thành công LPDDR5T bằng cách cải thiện hiệu suất của nó. Tốc độ của sản phẩm mới nhanh hơn 13% so với sản phẩm hiện có. Bộ nhớ DRAM LPDDR5T mới có thể chạy ở tốc độ lên tới 9,6Gbps (Gb/s). Sk đã đặt tên thông số kỹ thuật là "LPDDR5" với hậu tố "Turbo" cho thấy hiệu suất mạnh mẽ hơn. Trước đây tốc độ của LPDDR5X là 8,5Gbps.
LPDDR5T hoạt động ở điện áp tối thiểu 1,01~1,12V (volt) do Tổ chức Tiêu chuẩn hóa Chất bán dẫn Quốc tế (JEDEC) quy định. Bộ nhớ này kết hợp tốc độ cao và tiêu thụ điện năng thấp.
Gần đây SK cung cấp cho khách hàng các mẫu gói kết hợp chip LPDDR5T có dung lượng 16GB (gigabit). SK Hynix cho biết mẫu này có thể xử lý dữ liệu với tốc độ tới 77GB/giây, tương đương xử lý 15 bộ phim Full-HD/giây. SK Hynix có kế hoạch áp dụng quy trình tinh vi 10 nanomet (1a) thế hệ thứ tư và sẽ thúc đẩy sản xuất hàng loạt sản phẩm này vào nửa cuối năm 2023.
SK Hynix cũng áp dụng quy trình "HKMG (Cổng kim loại High-K)" trong sản phẩm bộ nhớ mới giúp đạt được hiệu suất tốt nhất. Công ty kỳ vọng rằng trước khi thế hệ tiếp theo của LPDDR6, bộ nhớ LPDDR5T ra đời, đã mở rộng đáng kể tiến bộ công nghệ lvà chiếm lĩnh thị trường.
SK Hynix cho biết rằng phạm vi ứng dụng của LPDDR5T sẽ không chỉ giới hạn ở điện thoại thông minh mà sẽ mở rộng sang trí tuệ nhân tạo (AI), học máy (Machine Learning), thực tế tăng cường/ảo (AR/VR), v.v.
Được biết công nghệ LPDDR (Tốc độ dữ liệu kép công suất thấp): là kỹ thuật DRAM được sử dụng trong các sản phẩm di động như điện thoại thông minh và máy tính bảng. DRAM áp dụng công nghệ này có hoạt động điện áp thấp nhằm mục đích giảm thiểu mức tiêu thụ điện năng. "LP (Công suất thấp)" được gắn vào tên thông số kỹ thuật và thông số kỹ thuật mới nhất là LPDDR thế hệ thứ bảy (5X), được phát triển theo thứ tự 1-2-3-4-4X-5-5X. LPDDR5T là sản phẩm đầu tiên do SK hynix phát triển trong ngành, phiên bản nâng cấp thêm hiệu suất của LPDDR thế hệ thứ bảy (5X) trước khi LPDDR6 thế hệ thứ tám ra mắt chính thức.
HKMG (High-K Metal Gate): là quy trình thế hệ mới sử dụng chất điện môi cổng high-K trên màng cách điện trong bóng bán dẫn DRAM để ngăn rò rỉ và cải thiện điện dung (Capacitance). Không chỉ có thể tăng tốc độ bộ nhớ mà còn có thể giảm mức tiêu thụ điện năng. SK Hynix đã áp dụng quy trình HKMG cho DRAM di động đầu tiên trên thế giới vào tháng 11 năm 2022.
SK Hynix từng ra mắt DRAM di động LPDDR5X vào tháng 11 năm 2022 và SK tiếp tục phát triển thành công LPDDR5T bằng cách cải thiện hiệu suất của nó. Tốc độ của sản phẩm mới nhanh hơn 13% so với sản phẩm hiện có. Bộ nhớ DRAM LPDDR5T mới có thể chạy ở tốc độ lên tới 9,6Gbps (Gb/s). Sk đã đặt tên thông số kỹ thuật là "LPDDR5" với hậu tố "Turbo" cho thấy hiệu suất mạnh mẽ hơn. Trước đây tốc độ của LPDDR5X là 8,5Gbps.
LPDDR5T hoạt động ở điện áp tối thiểu 1,01~1,12V (volt) do Tổ chức Tiêu chuẩn hóa Chất bán dẫn Quốc tế (JEDEC) quy định. Bộ nhớ này kết hợp tốc độ cao và tiêu thụ điện năng thấp.
Gần đây SK cung cấp cho khách hàng các mẫu gói kết hợp chip LPDDR5T có dung lượng 16GB (gigabit). SK Hynix cho biết mẫu này có thể xử lý dữ liệu với tốc độ tới 77GB/giây, tương đương xử lý 15 bộ phim Full-HD/giây. SK Hynix có kế hoạch áp dụng quy trình tinh vi 10 nanomet (1a) thế hệ thứ tư và sẽ thúc đẩy sản xuất hàng loạt sản phẩm này vào nửa cuối năm 2023.
SK Hynix cũng áp dụng quy trình "HKMG (Cổng kim loại High-K)" trong sản phẩm bộ nhớ mới giúp đạt được hiệu suất tốt nhất. Công ty kỳ vọng rằng trước khi thế hệ tiếp theo của LPDDR6, bộ nhớ LPDDR5T ra đời, đã mở rộng đáng kể tiến bộ công nghệ lvà chiếm lĩnh thị trường.
SK Hynix cho biết rằng phạm vi ứng dụng của LPDDR5T sẽ không chỉ giới hạn ở điện thoại thông minh mà sẽ mở rộng sang trí tuệ nhân tạo (AI), học máy (Machine Learning), thực tế tăng cường/ảo (AR/VR), v.v.
Được biết công nghệ LPDDR (Tốc độ dữ liệu kép công suất thấp): là kỹ thuật DRAM được sử dụng trong các sản phẩm di động như điện thoại thông minh và máy tính bảng. DRAM áp dụng công nghệ này có hoạt động điện áp thấp nhằm mục đích giảm thiểu mức tiêu thụ điện năng. "LP (Công suất thấp)" được gắn vào tên thông số kỹ thuật và thông số kỹ thuật mới nhất là LPDDR thế hệ thứ bảy (5X), được phát triển theo thứ tự 1-2-3-4-4X-5-5X. LPDDR5T là sản phẩm đầu tiên do SK hynix phát triển trong ngành, phiên bản nâng cấp thêm hiệu suất của LPDDR thế hệ thứ bảy (5X) trước khi LPDDR6 thế hệ thứ tám ra mắt chính thức.
HKMG (High-K Metal Gate): là quy trình thế hệ mới sử dụng chất điện môi cổng high-K trên màng cách điện trong bóng bán dẫn DRAM để ngăn rò rỉ và cải thiện điện dung (Capacitance). Không chỉ có thể tăng tốc độ bộ nhớ mà còn có thể giảm mức tiêu thụ điện năng. SK Hynix đã áp dụng quy trình HKMG cho DRAM di động đầu tiên trên thế giới vào tháng 11 năm 2022.
