Vn-Z.vn Ngày 07 tháng 08 năm 2024, Theo thông tin từ Bloomberg Law và Reuters, Đại học Harvard đã đệ đơn cáo trạng lên Tòa án quận phía Đông Texas của Hoa Kỳ vào hôm thứ Hai, cáo buộc Samsung Electronics vi phạm hai bằng sáng chế trong lĩnh vực bộ vi xử lý và sản xuất bộ nhớ.
Từ bản cáo trạng cho thấy rằng Giáo sư Roy G. Gordon của Khoa Hóa học tại Đại học Harvard là người phát minh ra hai bằng sáng chế này. Đại học Harvard là người được chuyển nhượng các bằng sáng chế này và có toàn quyền đối với các bằng sáng chế tương ứng.

Hai bằng sáng chế liên quan đến phương pháp lắng đọng màng chứa coban và vonfram, có tiêu đề "Lớp nitrit coban cho các liên kết đồng và phương pháp tạo hình giống nhau" và "Lắng đọng pha hơi của vonfram nitrit." Đại học Harvard cho biết "nghiên cứu này là cần thiết". cho các thành phần quan trọng trong nhiều sản phẩm, bao gồm cả máy tính và điện thoại di động."

Đại học Harvard tin rằng Samsung Electronics đã vi phạm các bằng sáng chế của Đại học Harvard liên quan đến việc điều chế màng coban nitride trong quy trình xử lý OEM Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1, v.v., liên quan đến điện thoại thông minh Samsung S22 và các sản phẩm khác.

Khi Samsung sản xuất LPDDR5X và các bộ nhớ khác, hãng đã triển khai mọi yếu tố của ít nhất một yêu cầu trong bằng sáng chế lắng đọng lớp vonfram của Đại học Harvard mà không được phép. Điện thoại di động màn hình gập Galaxy Z Flip5 của Samsung sử dụng các sản phẩm bộ nhớ LPDDR5X có liên quan.