Vn-Z.vn Ngày 08 tháng 10 năm 2022, Samsung vừa giới thiệu lộ trình phát triển bộ nhớ DDR của mình tại sự kiện Samsung Foundry Forum 2022.
Theo thông tin tại sự kiện trong năm 2023 sắp tới, Samsung sẽ bước vào công đoạn 1bnm, dung lượng chip nhớ đạt 24Gb (3GB) - 32Gb (4GB), tốc độ gốc là 6.4-7.2Gbps. Về bộ nhớ, thế hệ bộ nhớ GDDR7 mới sẽ được Samsung ra mắt vào năm sau, vì vậy bản nâng cấp giữa kỳ của thế hệ card đồ họa AMD và Nvidia mới có thể sẽ sử dụng bộ nhớ GDDR7.


Samsung cũng công bố tầm nhìn dài hạn, chẳng hạn như họ sẽ tung ra bộ nhớ DDR6 vào năm 2026 và đạt được tốc độ 10Gbps ban đầu vào năm 2027.


Samsung cũng tiết lộ lộ trình sản xuất bộ nhớ flash của mình, với chip V9 NAND dự kiến ra mắt vào năm 2024. Trước đó tại sự kiện Tech Day 2022, Samsung cũng công bố một số thông tin về V-NAND thế hệ thứ chín hiện đang được phát triển và lên kế hoạch sản xuất hàng loạt vào năm 2024. Đến năm 2030, Samsung đang nghiên cứu ngăn xếp NAND mới gồm hơn 1.000 lớp hỗ trợ tốt hơn các công nghệ sử dụng nhiều dữ liệu trong tương lai.

Samsung cũng thông báo rằng TLC V-NAND dung lượng cao nhất thế giới 1Tb sẽ đến tay khách hàng vào cuối năm 2022.