Vn-Z.vn ngày 05 tháng 12 năm 2022, Số lượng/mật độ bóng bán dẫn luôn là chỉ số quan trọng để đo lường sự tiến bộ của công nghệ bán dẫn . Hiện tại các nhà sản xuất bán dẫn có thể đạt được hơn 100 tỷ bóng bán dẫn trên một con chip đơn lẻ, chẳng hạn như GPU Intel Ponte Vecchio.


Tại Hội nghị Thiết bị Điện tử Quốc tế IEEE IEDM 2022, Intel đã công bố một số công nghệ đột phá mới, đồng thời sẽ tiếp tục áp dụng Định luật Moore ra đời 75 năm qua, mục tiêu lần này Intel sẽ tích hợp 1 nghìn tỷ bóng bán dẫn trên một con chip đơn lẻ vào năm 2030, gấp 10 lần hiện tại.

Định luật Moore được xây dựng bởi Gordon Moore - một trong những sáng lập viên của tập đoàn sản xuất chip máy tính nổi tiếng Intel. Định luật ban đầu được phát biểu như sau: "Số lượng transistor trên mỗi đơn vị inch vuông sẽ tăng lên gấp đôi sau mỗi 24 tháng

Nhấn để mở rộng...

Từ các công nghệ như silicon căng, cổng kim loại có hàm lượng K cao, bóng bán dẫn ba chiều FinFET, đến bóng bán dẫn cổng vòm RibbonFET GAA trong tương lai, bộ nguồn phía sau PowerVia, đến Foveros 2.5D EMIB+3D, công nghệ đóng gói Foveros Direct/Omni, Intel đã và đang phát triển từ nhiều lĩnh vực côngnghệ khác nhau theo Định luật Moore.

Tại sự kiện IEDM 2022, Intel đã tiết lộ ba đột phá kỹ thuật:

1. Chip đóng gói 3D thế hệ tiếp theo.

Dựa trên công nghệ liên kết lai (hybrid bonding), mật độ tích hợp và hiệu suất sẽ được tăng thêm 10 lần, khoảng cách đã giảm xuống còn 3 micron, giúp mật độ và băng thông kết nối đa chip có thể so sánh với các SoC đơn chip ngày nay.


2. Vật liệu 2D siêu mỏng tích hợp nhiều bóng bán dẫn hơn trong một con chip

Bằng cách sử dụng vật liệu kênh 2D có độ dày chỉ bằng 3 nguyên tử, Intel đã trình diễn các tấm nano xếp chồng GAA, đạt được tốc độ chuyển đổi bóng bán dẫn rất lý tưởng ở nhiệt độ phòng và tỷ lệ rò rỉ thấp trên cấu trúc cổng kép.


Lần đầu tiên, Intel tiết lộ cấu trúc liên kết tiếp xúc điện của vật liệu 2D cho phép các kênh bóng bán dẫn có hiệu suất cao hơn và đàn hồi hơn.

3. Đột phá mới về hiệu quả năng lượng và bộ nhớ điện toán hiệu năng cao

Intel đã phát triển một bộ nhớ mới có thể xếp chồng lên nhau theo chiều dọc trên các bóng bán dẫn và cung là lần đầu tiên Intel trình diễn một tụ điện sắt điện xếp chồng mới, có thể so sánh với các tụ điện kênh sắt truyền thống và có thể được sử dụng để xây dựng FeRAM trên chip logic.
Intel đang chế tạo các tấm wafer GaN-on-silicon có đường kính 300 mm, cao gấp 20 lần so với GaN tiêu chuẩn.

Intel cũng đật được những bước đột phá mới về hiệu suất năng lượng siêu cao, đặc biệt là khả năng lưu dữ liệu của các bóng bán dẫn ngay cả khi mất điện.Hai trong số ba rào cản đã bị phá vỡ và sẽ sớm đạt được khả năng vận hành đáng tin cậy ở nhiệt độ phòng.

Intel cũng đưa ra lộ trình phát triển của mình