Vn-Z.vn Ngày 12 tháng 08 năm 2024, Theo báo cáo từ trang ETNews của Hàn Quốc, Samsung Electronics đã xác nhận kế hoạch đầu tư vào dây chuyền sản xuất bộ nhớ DRAM với công nghệ 1c nanomet tại nhà máy P4 ở Pyeongtaek. Dự kiến dây chuyền này sẽ được đưa vào vận hành vào tháng 6 năm 2025.
Nhà máy P4 tại Pyeongtaek là một trung tâm sản xuất bán dẫn tích hợp, được chia thành bốn giai đoạn phát triển. Theo kế hoạch trước đó, giai đoạn đầu tiên sẽ tập trung vào sản xuất bộ nhớ NAND, giai đoạn thứ hai dành cho sản xuất logic (gia công bán dẫn), còn giai đoạn ba và bốn sẽ tập trung vào sản xuất bộ nhớ DRAM. Samsung đã đưa thiết bị sản xuất DRAM vào giai đoạn đầu tiên của nhà máy P4, nhưng việc xây dựng giai đoạn thứ hai đã bị tạm hoãn.

Công nghệ DRAM 1c nanomet là thế hệ thứ sáu của quy trình sản xuất bộ nhớ với kích thước từ 20 đến 10 nanomet. Hiện tại, các sản phẩm 1c nm (hoặc tương đương với 1γ nm) của các công ty vẫn chưa được chính thức phát hành. Theo báo cáo của giới truyền thông Hàn Quốc, Samsung Electronics dự định bắt đầu sản xuất bộ nhớ 1c nm vào cuối năm nay.

Được biết, Samsung Electronics đang cân nhắc sử dụng các vi mạch DRAM công nghệ 1c nanomet trên bộ nhớ HBM4 dự kiến ra mắt vào nửa cuối năm 2025. Việc sử dụng quy trình DRAM tiên tiến này nhằm nâng cao hiệu suất năng lượng và tăng cường khả năng cạnh tranh của sản phẩm HBM4, giúp Samsung theo kịp với nhà sản xuất hàng đầu trong lĩnh vực HBM là SK Hynix.

Vì bộ nhớ HBM tiêu thụ lượng lớn wafer DRAM hơn nhiều so với bộ nhớ truyền thống, việc xây dựng dây chuyền sản xuất DRAM 1c nanomet tại nhà máy P4 ở Pyeongtaek của Samsung cũng nhằm chuẩn bị cho nhu cầu sản xuất HBM4 trong tương lai.