Samsung chính thức sản xuất hàng loạt EUV DDR5 DRAM 14nm

Administrator
Vn-Z.vn , ngày 12 tháng 10 năm 2021 , Samsung thông báo rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM 14 nanomet dựa trên công nghệ ánh sáng cực tím (EUV).


DDR5-Samsung.jpg


Sau lô hàng EUV DRAM đầu tiên vào tháng 3 năm ngoái, Samsung tăng số lớp EUV lên 5 lớp ở giai đoạn này sẽ cung cấp giải pháp tốt hơn cho DDR5.
Jooyoung Lee, phó chủ tịch cấp cao kiêm trưởng bộ phận công nghệ và sản phẩm DRAM tại Samsung Electronics, cho biết: "Bằng cách tiên phong trong đổi mới mẫu sản phẩm quan trọng, chúng tôi đã dẫn đầu thị trường DRAM trong gần ba năm. Ngày nay, Samsung đang xây dựng công nghệ EUV nhiều lớp là cột mốc quan trọng, công nghệ này đã đạt được cực trị 14 nanomet-đây là kỳ tích mà quy trình ArF truyền thống không thể đạt được. Trên cơ sở này, chúng tôi sẽ tiếp tục thực hiện những thay đổi trong 5G, AI và thế giới ảo. Hiệu suất cao , công suất tính toán theo hướng dữ liệu cung cấp các giải pháp bộ nhớ khác biệt nhất. "

Samsung đã đạt được mật độ bit cực cao bằng cách thêm năm lớp EUV vào DRAM 14nm, đồng thời tăng năng suất tấm wafer tổng thể lên khoảng 20%. Ngoài ra, so với thế hệ DRAM trước đây, quy trình 14 nanomet giúp giảm điện năng tiêu thụ gần 20%.

a46e2663-3187-4a36-aae5-8cb276258f1b.jpg

Theo tiêu chuẩn DDR5 mới nhất, DRAM 14 nanomet của Samsung có thể mang lại tốc độ siêu cao 7,2Gbps, cao gấp đôi so với tốc độ cao nhất 3,2Gbps của DDR4 thế hệ trước.

Hiện tại Samsung đangcó kế hoạch mở rộng danh mục sản phẩm DDR5 14 nanomet hỗ trợ ứng dụng trung tâm dữ liệu, siêu máy tính và máy chủ doanh nghiệp. Ngoài ra, Samsung dự kiến sẽ tăng mật độ chip DRAM 14 nanomet lên 24Gb để đáp ứng tốt hơn nhu cầu dữ liệu đang phát triển nhanh chóng của các hệ thống CNTT toàn cầu.


Vn-Z.vn team tổng hợp
 
Trả lời